{"loaderData":{"0":null,"0-11-1":{"AUTHOR":{"FIRST_NAME":"Василий","LAST_NAME":"Григорьев","MIDDLE_NAME":"Юрьевич","ID":"801009"},"COLLECTION":[{"partnerId":6,"TYPE":"ebook","ID":"87018275","TITLE":"Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения","ADULT":0,"RATING":0,"ANNOTATION":"

Тенденции развития современной технологии электронной техники заключаются в увеличении степени интеграции изделий на поверхности подложек, что связано как с увеличением диаметра применяемых в производстве подложек, так и с уменьшением геометрических размеров элементов изделий на их поверхности до 0,01-0,04 мкм. Для технологии изготовления изделий с микро- и наноэлементами использование ВЧ разряда индуктивно связанной плазмы (ICP) как плазмообразующего источника предоставляет большие преимущества. В частности, с его помощью достигают высокую плотность плазмы (1011–1012 см–3), минимальный разброс ионов по энергиям (Δei ≤ 5 эВ), относительно низкое рабочее давление (10–2 ÷ 10–1 Па) и низкую энергетическую цену иона (30÷80) эВ/ион. Благодаря отсутствию накаливаемых узлов источник ICP обладает большим ресурсом работы с химически активными газами. Особенно важно, что он предоставляет возможность независимого управления энергией и плотностью потока ионов, поступающих на подложку. Успехи в конструировании источников ЮР для целей микроэлектроники побудили разработчиков оборудования применить их и в других отраслях, например в азотировании стальных деталей, обработке полимерных пленок и нанесении специальных покрытий методами PVD и PECVD.

За последнее десятилетие источники ICP нашли широкое промышленное применение, о котором появилось большое количество новой информации. Поэтому назрела необходимость составления обзора, цель которого – систематизация основных экспериментальных результатов разработки и применения источников ICP. В книге приведено описание принципов действия, особенностей и преимуществ источников ICP и рассмотрены многочисленные варианты конструкций современных источников ICP Приведены также примеры технологических применений описываемых источников для нанесения тонких пленок: в процессах PVD и PECVD. И кроме того, описано формирование плазмохимическим травлением трехмерных структур в различных материалах и двумерных структур в тонких пленках и связанное с такой обработкой существенное изменение свойств поверхностей различных материалов, в особенности полупроводников.

Таким образом, настоящая книга представляет собой подробное справочное руководство по конструкциям и применению источников ICP Книга рассчитана на студентов, аспирантов, конструкторов нового технологического оборудования, использующего источники ICP, и технологов, работающих на таком оборудовании. Конструкторы найдут в ней обзор способов достижения высоких параметров источников ICP, а технологи ознакомятся с широким спектром их применения и полученных с их помощью достижений. Она также будет полезна в качестве учебного пособия для студентов старших курсов и аспирантов соответствующих специализаций.

","AUTHORS":[{"FIRST_NAME":"Литагент","LAST_NAME":"Техносфера","RELATION":"2","ID":"415063"},{"FIRST_NAME":"Лев","LAST_NAME":"Сейдман","MIDDLE_NAME":"Александрович","RELATION":"0","ID":"791377"},{"FIRST_NAME":"Евгений","LAST_NAME":"Берлин","MIDDLE_NAME":"Владимирович","RELATION":"0","ID":"791378"},{"FIRST_NAME":"Василий","LAST_NAME":"Григорьев","MIDDLE_NAME":"Юрьевич","RELATION":"0","ID":"801009"}],"CATEGORIES":["техническая литература","технические справочники"],"COVER_ADULT":false,"COVER":"https://760423e0-2f6e-4534-95f2-a9734adeff5d.selcdn.net/ID_Litres/06/80/9D/cover_87018275.jpg","COVER100":"https://760423e0-2f6e-4534-95f2-a9734adeff5d.selcdn.net/ID_Litres/06/80/9D/cover100_87018275.jpg","COVER200":"https://760423e0-2f6e-4534-95f2-a9734adeff5d.selcdn.net/ID_Litres/06/80/9D/cover200_87018275.jpg","COVER400":"https://760423e0-2f6e-4534-95f2-a9734adeff5d.selcdn.net/ID_Litres/06/80/9D/cover400_87018275.jpg","OPINIONS":0,"READS":"0","AVALIABLE_FORMATS":["PDF"],"EXTERNAL_ID":"0cd3178d-e99b-11e9-bdfd-0cc47a5f3f85","PRICE":725,"TOTAL_CHARS":465,"IS_AVAILABLE":"DEFAULT","USER_RATING":5,"AMOUNT_REVIEW":0,"AMOUNT_APPROVED_REVIEW":0,"TRUE_PPD":true,"IS_ALREADY_BOUGHT":false,"PAYMENT_INFO":{"TRUE_PPD":true,"TRUE_SUB":false,"PRICE":725,"DISCOUNT":0,"DISCOUNTED_PRICE":725,"PURCHASE_OPTIONS":[{"option_id":"book_87018275_eternal","purchase_type":"eternal","orig_price":725,"payment_price":725}]},"IS_EXCLUSIVE":false,"IS_FREE":false,"TRUE_SUB":false,"DESCRIPTION":"Покупка книги: Индуктивные источники высокоплотной плазмы и их технологические применения - Сейдман Л. А.","SEQUENCES":[],"STATUS":"SHOW"}]},"0-11":null},"actionData":null,"errors":null}

Василий Григорьев 1

книгибилайн